Моя заявка (0)

BCX55-16,115, Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A NPN MED PWR

BCX55-16,115, Bipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A NPN MED PWR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025439520
Артикул
BCX55-16,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Вид
NPN
Тип
биполярный
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 500мВт, SOT89 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0075
ВидNPN
Типбиполярный
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.14
Длина4.6 mm
Power - Max1.25W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.6 mm
Ширина2.6 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-243AA
Transistor TypeNPN
Base Product NumberBCX55 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition180MHz
Pd - Power Dissipation1.25W
Supplier Device PackageSOT-89
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-89-3
Maximum DC Collector Current1A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)1A
кол-во в упаковке1000
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Collector-Emitter Breakdown Voltage60V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1250 mW
Другие названия товара №BCX55-16 T/R
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.100 at 150 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)180 MHz

Техническая документация