Моя заявка (0)
BCP55-16,115, Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V 1A NPN BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025533643
Артикул
BCP55-16,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
0.14
Цена по запросу
(от 31,90 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 1,35Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г0.14
Длина6.7 mm
Power - Max1.35W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.7 mm
Ширина3.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Transistor TypeNPN
Base Product NumberBCP55 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition180MHz
Pd - Power Dissipation1.35W
Supplier Device PackageSOT-223
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-4
Maximum DC Collector Current1A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Collector-Emitter Breakdown Voltage60V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности960 mW
Другие названия товара №BCP55-16 T/R
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)180 MHz

Техническая документация