BC856W,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025479956
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.14
- Длина:
- 2.2 mm
- Высота:
- 1 mm
- Ширина:
- 1.35 mm
Цена по запросу
(от 4 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Длина: | 2.2 mm |
| Высота: | 1 mm |
| Ширина: | 1.35 mm |
| Transistor Type | PNP |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Технология: | Si |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Производитель: | Nexperia |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 125@2mA, 5V |
| Торговая марка: | Nexperia |
| Упаковка / блок: | SOT-323-3 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Другие названия товара №: | 934021750115 |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 5mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 80 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 125 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 125 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |