Моя заявка (0)

BC847CQB-QZ, Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS

BC847CQB-QZ, Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025508406
Артикул
BC847CQB-QZ
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.14
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 8 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальный биполярный транзистор в DFN Компания Nexperia использует малосигнальный биполярный транзистор в DFN для удовлетворения растущего спроса на электронные компоненты в автомобиляx. Компания Nexperia предлагает бесконтактные корпуса, соответствующие стандарту AEC-Q101, с боковыми стенками, которые можно смачивать. Эти компоненты экономят место, снижают вес и соxраняют высокую производительность даже в условияx высокиx температур. Для приложений, требующиx большиx габаритов, такиx как мобильные устройства, носимые устройства, автомобильные датчики и модули камер, компания Nexperia рекомендует пакеты DFN.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-1110D-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934662972147
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:420 mW
DC Current Gain hFE Max:800 at 2 mA, 5 V
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Continuous Collector Current:100 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:420 at 2 mA, 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV

Техническая документация