Моя заявка (0)
BAV99W, Диод быстрый DIO

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026370086
Артикул
BAV99W
Бренд
Diotec Semiconductor
Case
SOT323
Speed
Small Signal =< 200mA(Io), Any Speed
Assembly
SMD
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 5 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод: импульсный; SMD; 85В; 0,15А; 4нс; Упаковка: бобина,лента Характеристики Категория Диод Тип импульсный

Технические параметры

CaseSOT323
SpeedSmall Signal =< 200mA(Io), Any Speed
AssemblySMD
MountingSurface Mount
Rev Curr2.5(uA)
EnclosureSOT-323
PackagingTape and Reel
Pin Count3
TechnologyStandard
Вес, г0.01
Load current0.15A
ManufacturerDIOTEC SEMICONDUCTOR
Package TypeSOT-323
Product typesmall signal diode
Rad HardenedNo
Корпусsot-323
ConfigurationDual Series
Mounting TypeSurface Mount
Type of diodeswitching
Package / CaseSC-70, SOT-323
Rev Recov Time4(ns)
Forward Current200(mA)
Forward Voltage1.25(V)
Kind of packagereel, tape
Leakage current50µA
Number of diodes2
Max. load current0.3A
Peak Rep Rev Volt85(V)
Power dissipation0.2W
Diode Configuration1 Pair Series Connection
Max. forward voltage1.25V
Operating Temp Range-55C to 150C
Емкость, пФ0.9
Reverse recovery time4ns
Max. off-state voltage85V
Rated blocking voltage85 V
Semiconductor structuredouble series
Supplier Device PackageSOT-323
max. operating temperature150 °C
min. operating temperature-55 °C
Junction temperature (max.)150 °C
Junction temperature (min.)-55 °C
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
Max. forward impulse current2A
Current - Reverse Leakage @ Vr2.5 µA @ 70 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)70 V
кол-во в упаковке3000
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
Features of semiconductor devicessmall signal
Peak Non-Repetitive Surge Current2(A)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Конфигурация диодаПоследовательное соединение, 1-пара
Operating Temperature ClassificationMilitary
Voltage V RRM (peak reverse voltage)100 V
Кол-во диодов в корпусе2
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)200mA
Рабочая температура PN-прехода (°С)-55…+150
Максимальное постоянное обратное напряжение, В75
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А)0.15
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА)2.5
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В)1.25

Техническая документация