BAV99-7-F, Диод импульсный, SMD, 75В, 300мА, 4нс, Упаковка бобина,лента
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061806546
- Артикул
- BAV99-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- trr
- 4 ns
- RoHS
- Details
- Type
- Switching Diode
- V(F)
- 0.715 V
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ДИОД, ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЙ, ДВОЙНОЙ, 150 мА, 75 В, SOT-23, Конфигурация диода: Двойная серия, Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Max:75 В, Прямой ток If(AV):150 мА, Прямое напряжение VF Max:1,25 В, Время обратного восстановления trr Max:4 секунды, Количество контактов: 3 контакта, Соответствие требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| trr | 4 ns |
| RoHS | Details |
| Type | Switching Diode |
| V(F) | 0.715 V |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA(Io) |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1 mm |
| I(FSM) | 2 A |
| IF(AV) | 0.3 A |
| Length | 3.05 mm |
| Series | BAV99 |
| V(RRM) | 75 V |
| Package | SOT23 |
| Product | Switching Diodes |
| T(j)max | 150 °C |
| T(j)min | -65 °C |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Diode Type | High Speed |
| Technology | Standard |
| Вес, г | 0.02 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23 |
| Configuration | Dual Series |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Recovery Time | 4 ns |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23 |
| Rectifier Type | General Purpose |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Product Category | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
| Max Surge Current | 2 A |
| Diode Configuration | Common Cathode |
| If - Forward Current | 300mA |
| Ir - Reverse Current | 2.5 uA |
| Peak Reverse Voltage | 75V |
| Vf - Forward Voltage | 1.25V @ 150mA |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Maximum Diode Capacitance | 2 pF |
| Peak Reverse Recovery Time | 4ns |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Trr - Reverse Recovery Time | 4ns |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1.25V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5 µA @ 75 V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 75V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Maximum Continuous Forward Current | 300mA |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 2A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300mA(DC) |