BAT54LT1G, (Шоттки 30В 0.2А), Диод Шоттки 30В 200мА

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8415087480
- Артикул
- BAT54LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- Schottky Diode
- Brand
- onsemi
- Тип
- выпрямительный, Шоттки
Цена по запросу
(от 1,80 ₽)
Минимальный заказ: 180 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод Шоттки 30В 200мА
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Schottky Diode |
| Brand | onsemi |
| Тип | выпрямительный, Шоттки |
| EU RoHS | Compliant |
| Assembly | SMD |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Enclosure | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Diode Type | Schottky |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | BAT54L |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Diode Configuration | Single |
| Емкость, пФ | 10 |
| Standard Package Name | SOT |
| Мощность, Вт | 0.2 |
| Peak Forward Voltage (V) | 0.8@0.1A |
| Peak Reverse Current (uA) | 2@25V |
| Peak Reverse Recovery Time | 5ns |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 30 |
| Maximum Diode Capacitance (pF) | 10 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Peak Reverse Recovery Time (ns) | 5 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 30V |
| Maximum Continuous Forward Current | 200mA |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 30 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 0.6 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 0.2 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 600mA |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 150 |
| Обратный ток утечки, мкА | 2 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Обратное напряжение макс., В | 30 |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.8 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 30 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 0.2 |