Моя заявка (0)

BAS32L,115, Diode Switching 100V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R

BAS32L,115, Diode Switching 100V 0.2A 2-Pin Mini-MELF T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038865245
Артикул
BAS32L,115
Бренд
NXP Semiconductor
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Speed
Small Signal =
Width
1.6mm
Цена по запросу
(от 9,90 ₽)
Минимальный заказ: 15545 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диод импульсный 100В 0.2А

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.10.0070
SpeedSmall Signal =
Width1.6mm
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count2
Diode TypeStandard
Вес, г0.04
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeMiniMELF
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусMini-MELF/DO-213AA
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Тип диодаимпульсный диод
Base Product NumberBAS32 ->
Capacitance @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
Diode ConfigurationSingle
Maximum Forward Current200mA
Maximum Reverse Voltage75V
Supplier Device PackageLLDS; MiniMelf
Кол-во диодов1
Number of Elements per Chip1
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Maximum Forward Voltage Drop1V
Maximum Operating Temperature+200 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Current - Reverse Leakage @ Vr5ВµA @ 75V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)75V
Current - Average Rectified (Io)200mA (DC)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Operating Temperature - Junction200В°C (Max)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.0.75
Максимальное импульсное обратное напряжение,В100
Максимальное постоянное обратное напряжение,В75
Максимальное постоянное обратное напряжение, В100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А)0.2
Максимальное время обратного восстановления,мкс0.004
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А0.2

Техническая документация