BAS16-AQ, Диод: импульсный; SMD; 85В; 0,215А; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 2А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037192418
- Артикул
- BAS16-AQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- SOT23
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Series:
- BAS-Power/Switching
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 15,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Маломощные сигнальные диоды BAS Power/Switching Маломощные сигнальные диоды Diotec Semiconductor BAS Power/Switching отличаются высокой скоростью переключения и низким током утечки. Эти силовые / переключающие диоды для систем автоматизации зданий (BAS) имеют диапазон температур xранения от -55°C до +150°C и соответствуют требованиям REACH, RoHS и conflict minerals. Малогабаритные сигнальные диоды Diotec Semiconductor BAS Power/Switching подxодят для обработки сигналов, высокоскоростной коммутации и выпрямления коммерческого/промышленного назначения.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Series: | BAS-Power/Switching |
| Mounting | SMD |
| Product: | Switching Diodes |
| Tradename: | BAS16-AQ |
| Вес, г | 0.01 |
| Application | automotive industry |
| Load current | 0.215A |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Product Type: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
| Type of diode | switching |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Recovery Time: | 4 ns |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 50µA |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Max. load current | 0.3A |
| Power dissipation | 0.31W |
| Product Category: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
| Max Surge Current: | 1 A |
| Max. forward voltage | 1.25V |
| If - Forward Current: | 210 mA |
| Ir - Reverse Current: | 1 uA |
| Peak Reverse Voltage: | 50 V |
| Reverse recovery time | 4ns |
| Vf - Forward Voltage: | 1.25 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 75 V |
| Max. off-state voltage | 85V |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Semiconductor structure | single diode |
| Maximum Diode Capacitance: | 2 pF |
| Max. forward impulse current | 2A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | superfast switching |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |