BAS116LPH4-7B, Диод: импульсный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075260876
- Артикул
- BAS116LPH4-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.10.0070
- Speed
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация Switching Diode BVR X2-DFN1006-2,10K
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Diode Type | Standard |
| Вес, г | 0.04 |
| Серия | BAS116LPH4 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 0402 (1006 Metric) |
| Продукт | Switching Diodes |
| Base Product Number | BAS116 -> |
| Capacitance @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Forward Voltage Max | 1.25В |
| Forward Surge Current | 4А |
| Reverse Recovery Time | 3мкс |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Average Forward Current | 215мА |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-2 |
| Тип продукта | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
| If - прямой ток | 215 mA |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3Вµs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN-1006-2 |
| Ir - обратный ток | 80 nA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5nA @ 75V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 85В |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA (DC) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Operating Temperature - Junction | -55В°C ~ 150В°C |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Линейка Продукции | BAS116 |
| Категория продукта | Диоды - общего назначения, управление питанием, ко |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Диода | X2DFN |
| Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
| Время восстановления | 3000 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Максимальная ёмкость диода | 1.5 pF |
| Максимальный ток перегрузки | 4 A |
| Пиковое обратное напряжение | 85 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |