B82464G4154M, Inductor Power Shielded Wirewound 150uH 20% 100KHz Ferrite 0.85A 0.32Ohm DCR T/R Automotive AEC-Q200
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001142039
- Артикул
- B82464G4154M
- Бренд
- EPCOS
- PPAP
- Unknown
- Type
- Power
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 750 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Катушка индуктивности с силовым экранированием, обмотанная проволокой, 150uH 20% 100 кГц, феррит 0,85A 0,32 Ом, DCR T / R, автомобильная AEC-Q200
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Type | Power |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Tolerance | 20% |
| Automotive | Yes |
| Technology | Wirewound |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | B82464 |
| Part Status | LTB |
| Корпус | SMD 10.4*10.4*4.8 |
| Core Material | Ferrite |
| Product Range | B82464G4 Series; Inductance |
| Inductance (H) | 150u |
| Protection Style | Shielded |
| Number of Terminals | 2 |
| Ток СКЗ (Irms) | 850мА |
| Maximum DC Current (A) | 0.85 |
| Особенности | экранированная, проволочная, ферритовый сердечник, AEC-Q200 |
| Maximum Product Depth (mm) | 10.4 |
| Индуктивность | 150мкГн |
| Maximum DC Resistance (Ohm) | 0.32 |
| Maximum Product Height (mm) | 4.8 |
| Maximum Product Length (mm) | 10.4 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Inductance Test Frequency (Hz) | 100K |
| Maximum Saturation Current (A) | 0.9 |
| Длина корпуса,мм | 4.1 |
| кол-во в упаковке | 750 |
| Ток Насыщения (Isat) | 900мА |
| Линейка Продукции | B82464G4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Допуск Индуктивности | ±20% |
| Рабочая температура,С | -55…125 |
| Конструкция Проводника | Экранированный |
| Активное сопротивление,Ом | 0.32 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 10.4 |
| Корпус Силового Индуктора | 10.4мм x 10.4мм x 4.8мм |
| Максимальное DC Сопротивление | 0.32Ом |
| Максимальный постоянный ток,мА | 850 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 150 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |