Моя заявка (0)

B82442T1472K000, SIMID, 2220 Unshielded Wirewound Surface Mount Inductor with a Ferrite Core, 4.7 μH ±10 % 1.95 A Idc Q:15

B82442T1472K000, SIMID, 2220 Unshielded Wirewound Surface Mount Inductor with a Ferrite Core, 4.7 μH ±10 % 1.95 A Idc Q:15

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014550066
Артикул
B82442T1472K000
Бренд
EPCOS
Type
Drum Core, Wirewound
Series
SIMID
Moulded
Yes
Ratings
AEC-Q200
Цена по запросу
(от 144,58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SMD-индуктор серии TDK B42442T SIMID с ферритовым сердечником, обмоткой, сваренной лазером, и огнестойким формованием.

Технические параметры

TypeDrum Core, Wirewound
SeriesSIMID
MouldedYes
RatingsAEC-Q200
Q @ Freq15 @ 7.96MHz
ShieldedNo
DC Ток1.95А
ShieldingUnshielded
Tolerance±10%
Inductance4.7 μH
Вес, г0.06
СерияB82442T
Package/Case2220(5650M)
Core MaterialFerrite
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case2-SMD, J-Lead
Material - CoreFerrite
Maximum DC Current1.95A
Automotive StandardAEC-Q200
DC Resistance (DCR)73mOhm Max
Типоразмер2220
Current Rating (Amps)1.95 A
Inductor ConstructionWire-Wound
Maximum DC Resistance73mΩ
Operating Temperature-55°C ~ 150°C
Minimum Quality Factor15
Особенностиэкранированная, неэкранированная, проволочная, ферритовый сердечник
Inductor Case / Package2220(5650 Metric)
Self Resonant Frequency30МГц
Добротность,Q15
Frequency - Self Resonant30MHz
Индуктивность4.7мкГн
Current - Saturation (Isat)4.3A
Inductance Frequency - Test7.96 MHz
Способ монтажаSMD/SMT
Maximum Operating Temperature+150°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Длина корпуса,мм5.7
Maximum Self Resonant Frequency30MHz
Линейка ПродукцииB82442T
Материал СердечникаФеррит
Допуск Индуктивности±10%
Рабочая температура,С-55…+125
Конструкция ПроводникаНеэкранированный
Стиль Корпуса Индуктора2220(5650 Метрический)
Активное сопротивление,Ом0.073
Диаметр (ширина)корпуса,мм5
Максимальное DC Сопротивление0.073Ом
Максимальный постоянный ток,мА1950
Допуск номинальной индуктивности,%10

Техническая документация