B82432T1472K000, Power Inductors - SMD 4.7 UH 10%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040556415
- Артикул
- B82432T1472K000
- Бренд
- TDK/EPCOS
- Q
- 10
- Type
- General Purpose Chip
- Series
- SIMID
- Moulded
- Yes
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Катушки индуктивности с проволочной намоткой серии B82432T SIMID обладают высокой способностью работать с током от 70 до 1300 мА, номинальной индуктивностью от 1 до 1000 Мкч
Технические параметры
| Q | 10 |
| Type | General Purpose Chip |
| Series | SIMID |
| Moulded | Yes |
| Shielded | Yes |
| Case Size | 1812 |
| Impedance | Not Required(ohm) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Shielding | Molded |
| Tolerance | ±10% |
| DC Current | 800(mA) |
| Inductance | 4.7(uH) |
| Technology | Wirewound |
| Вес, г | 1.6 |
| Серия | b82432 |
| Failure Rate | Not Required |
| Package/Case | 1812(4532M) |
| Rad Hardened | No |
| корпус | SMD181245X32MM |
| Core Material | Ferrite |
| DC Resistance | 0.22(ohm) |
| Test Frequency | 7.96(MHz) |
| Military Standard | Not Required |
| Case Size (Inches) | 1812 |
| Maximum DC Current | 800mA |
| Product Depth (mm) | 3.4(mm) |
| Tolerance (+ or -) | 10% |
| Automotive Standard | AEC-Q200 |
| Number of Terminals | 2 |
| Product Height (mm) | 3.4(mm) |
| Product Length (mm) | 4.7(mm) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Inductor Construction | Wire-Wound |
| Maximum DC Resistance | 220mΩ |
| Product Diameter (mm) | Not Required(mm) |
| Minimum Quality Factor | 10 |
| Особенности | силовая |
| Self Resonant Frequency | 40(MHz) |
| Добротность,Q | 10 |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature | +150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Длина корпуса,мм | 4.5 |
| Maximum Self Resonant Frequency | 40MHz |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Активное сопротивление,Ом | 0.22 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 3.2 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 800 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4.7 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 10 |