Моя заявка (0)

B82422T1222J000, Чип индуктивность серии SIMID 1210-T для поверхностного монтажа производства TDK. Номинальная индуктивность 2.2 мкГн ±5%

B82422T1222J000, Чип индуктивность серии SIMID 1210-T для поверхностного монтажа производства TDK. Номинальная индуктивность 2.2 мкГн ±5%

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8786042076
Артикул
B82422T1222J000
Бренд
TDK/EPCOS
Type
Drum Core, Wirewound
Ratings
AEC-Q200
Q @ Freq
30 @ 7.96MHz
Shielding
Unshielded
Цена по запросу
(от 56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Чип индуктивность B82422T1222J000 серии SIMID 1210-T для поверхностного монтажа. Номинальная индуктивность 2.2 мкГн ±5%, номинальный ток 0.32 А. Сопротивление постоянному току 0.8 Ом. Типоразмер 1210 (EIA) / 3225 (IEC) 3.2x2.5x2.0 мм. Номинальная температура +85°C. Собственная резонансная частота 100 МГц.

Технические параметры

TypeDrum Core, Wirewound
RatingsAEC-Q200
Q @ Freq30 @ 7.96MHz
ShieldingUnshielded
Tolerance±5%
Inductance2.2 µH
Вес, г0.06
СерияB82422T
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case2-SMD, J-Lead
Material - CoreFerrite
DC Resistance (DCR)800mOhm Max
Типоразмер1210
Current Rating (Amps)320 mA
Operating Temperature-55°C ~ 125°C
Supplier Device Package1210(3225 Metric)
Frequency - Self Resonant100MHz
Inductance Frequency - Test7.96 MHz
Способ монтажаSMD/SMT
Длина корпуса,мм3.2
Рабочая температура,С-55…+125
Диаметр (ширина)корпуса,мм32
Номинальная индуктивность, мкГн2.2
Допуск номинальной индуктивности,%5

Техническая документация