AS6C2016-55ZIN, SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005389332
- Артикул
- AS6C2016-55ZIN
- Бренд
- Alliance Memory Inc
- ECCN
- 3A991B2A
- HTSUS
- 8542.32.0041
- Width
- 10.3mm
- Package
- Tray
Цена по запросу
(от 1 836,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SRAM - Асинxронная микросxема памяти 2 Мб (128 КБ x 16), параллельная 55ns 44-TSOP II
Технические параметры
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Width | 10.3mm |
| Package | Tray |
| Low Power | Yes |
| Pin Count | 44 |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Вес, г | 0.16 |
| Серия | AS6C |
| Access Time | 55ns |
| Memory Size | 2Mb (128K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Timing Type | Asynchronous |
| Organisation | 128K x 16 |
| Package Type | TSOP-44 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Memory Format | SRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| Number of Words | 131072 |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
| Тип памяти | SRAM |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Number of Bits per Word | 16bit |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Объем памяти | 2 |
| Maximum Random Access Time | 55ns |
| Maximum Operating Temperature | +85 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
| Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Напряжение питания, В | 3.3 |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 55нс |