Моя заявка (0)

AS4C8M16D1A-5TIN, DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die

AS4C8M16D1A-5TIN, DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062584149
Артикул
AS4C8M16D1A-5TIN
Бренд
Alliance Memory Inc
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0002
Type:
SDRAM-DDR
Brand:
Alliance Memory
Цена по запросу
(от 2 870 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxема памяти SDRAM - DDR 128 Мб (8 М x 16), параллельная 200 МГц, 700 кадров в секунду, 66-TSOP II

Технические параметры

ECCN3A991B2A
HTSUS8542.32.0002
Type:SDRAM-DDR
Brand:Alliance Memory
PackageTray
Packaging:Tray
TechnologySDRAM - DDR
Вес, г23.03
Access Time700ps
Memory Size128Mb (8M x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:700 ps
Memory Size:128 Mbit
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Alliance Memory
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organisation:8 M x 16
Package/Case:TSOP-66
Product Type:DRAM
Package / Case66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Clock Frequency200MHz
Data Bus Width:16 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply2.3V ~ 2.7V
Product Category:DRAM
Moisture Sensitive:Yes
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Supply Current - Max:140 mA
Supply Voltage - Max:2.7 V
Supply Voltage - Min:2.3 V
Factory Pack Quantity:108
Supplier Device Package66-TSOP II
Maximum Clock Frequency:200 MHz
Write Cycle Time - Word, Page15ns
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)

Техническая документация