Моя заявка (0)

AS4C4M32SA-6TIN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В

AS4C4M32SA-6TIN, Микросхема памяти, SDRAM, 3,3В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070099338
Артикул
AS4C4M32SA-6TIN
Бренд
Alliance Memory Inc
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0002
Type:
SDRAM
Brand:
Alliance Memory
Цена по запросу
(от 3 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxема памяти SDRAM 128 Мб (4 М x 32) Параллельная 166 МГц 5,4нс 86-TSOP II

Технические параметры

ECCN3A991B2A
HTSUS8542.32.0002
Type:SDRAM
Brand:Alliance Memory
PackageTray
Packaging:Tray
TechnologySDRAM
Вес, г0.54
Access Time5.4ns
Memory Size128Mb (4M x 32)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
Access Time:5.4 ns
Memory Size:128 Mbit
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Memory & Data Storage
Manufacturer:Alliance Memory
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Organisation:4 M x 32
Product Type:DRAM
Package / Case86-TFSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Clock Frequency166MHz
Data Bus Width:32 bit
Mounting Style:SMD/SMT
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply3V ~ 3.6V
Product Category:DRAM
Memory Organization4M x 32
Moisture Sensitive:Yes
DigiKey ProgrammableNot Verified
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Supply Current - Max:160 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:3 V
Factory Pack Quantity:108
Supplier Device Package86-TSOP II
Maximum Clock Frequency:166 MHz
Write Cycle Time - Word, Page2ns
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)

Техническая документация