Моя заявка (0)

AS4C32M16SB-7TCN, IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0?70°C

AS4C32M16SB-7TCN, IC: DRAM memory; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54 II; 0?70°C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061937268
Артикул
AS4C32M16SB-7TCN
Бренд
Alliance Memory Inc
Case
TSOP54 II
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0028
Width
10.29mm
Цена по запросу
(от 4 535,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Alliance Memory 512Mb SDRAM - это высокоскоростная CMOS-синxронная DRAM-память емкостью 512 Мбит/с. Он внутренне сконфигурирован как 4 банка данныx по 8 миллионов слов на 16 DRAM с синxронным интерфейсом (все сигналы регистрируются на положительном фронте тактового сигнала, CLK).

Технические параметры

CaseTSOP54 II
ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0028
Width10.29mm
Memory512Mb DRAM
PackageTray
MountingSMD
Data Rate200MHz
Pin Count54
TechnologySDRAM
Вес, г0.58
Access Time5.4ns
Memory Size512Mb (32M x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
SDRAM ClassDDR
Organisation32M x 16
Package TypeTSOP
REACH StatusREACH Unaffected
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Data Bus Width16bit
Kind of memorySDRAM
Package / Case54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Clock Frequency143MHz
Kind of packagein-tray
Number of Words32 M
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply3V ~ 3.6V
Address Bus Width13bit
Kind of interfaceparallel
Operating voltage3.3V
Memory organisation8Mx16bitx4
Operating Temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
Number of Bits per Word16bit
Supplier Device Package54-TSOP II
Maximum Random Access Time5.4ns
Type of integrated circuitDRAM memory
Maximum Operating Temperature+70 °C
Minimum Operating Temperature0 °C
Write Cycle Time - Word, Page14ns
Maximum Operating Supply Voltage3.6 V
Minimum Operating Supply Voltage3 V
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)

Техническая документация