Моя заявка (0)
AS4C32M16SB-7TCN SDRAM 512 MB Surface, 54-Pin 16 bit TSOP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014573985
Артикул
AS4C32M16SB-7TCN
Бренд
Alliance Memory Inc
Case
TSOP54 II
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0028
Width
10.29mm
Цена по запросу
(от 4 212,07 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Микросхема памяти AS4C32M16SB-7TCN от производителя ALLIANCE MEMORY представляет собой высококачественный SDRAM-модуль, реализованный в форм-факторе TSOP54 для поверхностного монтажа (SMD). Этот чип обеспечивает емкость памяти 512 Мбит при рабочей частоте 143 МГц, что позволяет достигать высокой производительности в широком спектре применений. Модуль характеризуется стабильным питанием, поддерживая минимальное и максимальное напряжение в 3,3 вольта. Идеальное решение для систем, требующих надежной и быстрой памяти. Приобретая AS4C32M16SB7TCN, вы получаете гарантию качества от известного производителя и оптимальное решение для своих технологических задач. Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SDRAM Монтаж SMD Частота, МГц 143 Объем памяти 512Мбит Мин.напряжение питания, В 3.3 Макс.напряжение питания, В 3.3 Корпус TSOP54

Технические параметры

CaseTSOP54 II
ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0028
Width10.29mm
Memory512Mb DRAM
PackageTray
MountingSMD
Data Rate200MHz
Pin Count54
TechnologySDRAM
Вес, г0.16
СерияAS4C
Access Time5.4ns
Memory Size512Mbit
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
SDRAM ClassDDR
Organisation32M x 16
Package TypeTSOP
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTSOP
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Data Bus Width16bit
Kind of memorySDRAM
Package / Case54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Clock Frequency143MHz
Kind of packagein-tray
Number of Words32 M
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply3V ~ 3.6V
Address Bus Width13bit
Kind of interfaceparallel
Operating voltage3.3V
Memory organisation8Mx16bitx4
Тип памятиSDRAM
Operating Temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
Number of Bits per Word16bit
Supplier Device Package54-TSOP II
Объем памяти512МБ
Maximum Random Access Time5.4ns
Type of integrated circuitDRAM memory
Maximum Operating Temperature+70 °C
Minimum Operating Temperature0 °C
Write Cycle Time - Word, Page14ns
Maximum Operating Supply Voltage3.6 V
Minimum Operating Supply Voltage3 V
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Напряжение питания, В3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)143

Техническая документация