AS4C32M16D1A-5TIN, IC: DRAM memory; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40?95°C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031949132
- Артикул
- AS4C32M16D1A-5TIN
- Бренд
- Alliance Memory Inc
- Case
- TSOP66 II
- ECCN
- 3A991B2A
- HTSUS
- 8542.32.0024
- Memory
- 512Mb DRAM
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Микросхема памяти AS4C32M16D1A-5TIN от производителя ALLIANCE MEMORY — это высококачественный DDR1 SDRAM компонент, предназначенный для SMD монтажа. С частотой 200 МГц и объемом памяти 512Мбит, этот модуль обеспечивает надежное хранение данных при минимальном и максимальном напряжении питания 2,5 В. Упакованный в компактный корпус TSOP66, он идеально подходит для различных областей применения, требующих высокой производительности и небольшого энергопотребления. Код товара AS4C32M16D1A5TIN подчеркивает его уникальность и облегчает поиск среди аналогов. Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SDRAM, DDR1 Монтаж SMD Частота, МГц 200 Объем памяти 512Мбит Мин.напряжение питания, В 2.5 Макс.напряжение питания, В 2.5 Корпус TSOP66
Технические параметры
| Case | TSOP66 II |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0024 |
| Memory | 512Mb DRAM |
| Package | Tray |
| Mounting | SMD |
| Technology | SDRAM - DDR |
| Вес, г | 0.57 |
| Серия | AS4C |
| Access Time | 700ps |
| Memory Size | 512Mb (32M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TSOP |
| Memory Format | DRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of memory | DDR1, SDRAM |
| Package / Case | 66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| Clock Frequency | 200MHz |
| Kind of package | in-tray |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 2.3V ~ 2.7V |
| Kind of interface | parallel |
| Operating voltage | 2.5V |
| Интерфейс | IC |
| Memory organisation | 32Mx16bit |
| Тип памяти | DRAM |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Supplier Device Package | 66-TSOP II |
| Type of integrated circuit | DRAM memory |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 200МГц |