Моя заявка (0)

AS4C32M16D1A-5TCN,DRAM, DDR1, 512 Mbit, 32M x 16bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pins

AS4C32M16D1A-5TCN,DRAM, DDR1, 512 Mbit, 32M x 16bit, 200 MHz, TSOP-II, 66 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046438222
Артикул
AS4C32M16D1A-5TCN
Бренд
Alliance Memory Inc
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0024
Package
Tray
Technology
SDRAM - DDR
Цена по запросу
(от 946 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Микросхема памяти AS4C32M16D1A-5TCN от производителя ALLIANCE MEMORY представляет собой высокопроизводительную DDR1 SDRAM с монтажом типа SMD. Этот компонент обладает объемом памяти 512Мбит и работает на частоте 200МГц, что обеспечивает отличную скорость передачи данных. Минимальное и максимальное напряжение питания составляет 2,5В, что делает микросхему эффективной в плане энергопотребления. Корпус TSOP66 обеспечивает надежность и долговечность в эксплуатации. AS4C32M16D1A5TCN идеально подходит для области применения в высокоскоростных компьютерных системах, где требуется быстродействующая память для обработки больших объемов данных. Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SDRAM, DDR1 Монтаж SMD Частота, МГц 200 Объем памяти 512Мбит Мин.напряжение питания, В 2.5 Макс.напряжение питания, В 2.5 Корпус TSOP66

Технические параметры

ECCN3A991B2A
HTSUS8542.32.0024
PackageTray
TechnologySDRAM - DDR
Вес, г3.405
СерияAS4C
Access Time700ps
Memory Size512Mb (32M x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTSOP
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Clock Frequency200MHz
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply2.3V ~ 2.7V
Тип памятиDRAM
Operating Temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
Supplier Device Package66-TSOP II
Объем памяти512Мбит
Write Cycle Time - Word, Page15ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Напряжение питания, В2.5
Максимальная тактовая частота (скорость)200МГц

Техническая документация