AS4C1M16S-6TIN, IC: DRAM memory; 1Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; TSOP50 II; -40?85°C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070237284
- Артикул
- AS4C1M16S-6TIN
- Бренд
- Alliance Memory Inc
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8542.32.0002
- Package
- Tray
- Technology
- SDRAM
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Микросхема памяти AS4C1M16S-6TIN производителя ALLIANCE MEMORY является высококачественным SDRAM устройством, рассчитанным на частоту 166 МГц. С объемом памяти в 16Мбит, эта микросхема обеспечивает стабильную и быструю работу. Минимальное и максимальное напряжение питания составляет 3,3 В, что делает её идеальным выбором для многих современных электронных устройств. Монтаж данной микросхемы осуществляется методом SMD, а корпус TSOP50 обеспечивает легкую интеграцию в различные печатные платы. Надежность и производительность микросхемы AS4C1M16S6TIN делают её предпочтительным вариантом для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SDRAM Монтаж SMD Частота, МГц 166 Объем памяти 16Мбит Мин.напряжение питания, В 3.3 Макс.напряжение питания, В 3.3 Корпус TSOP50
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
| Package | Tray |
| Technology | SDRAM |
| Вес, г | 0.51 |
| Access Time | 5.4ns |
| Memory Size | 16Mb (1M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Memory Format | DRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 50-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| Clock Frequency | 166MHz |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Supplier Device Package | 50-TSOP II |
| Write Cycle Time - Word, Page | 2ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |