Моя заявка (0)

AS4C1M16S-6TIN,DRAM, SDRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 166 MHz, TSOP-II, 50 Pins

AS4C1M16S-6TIN,DRAM, SDRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 166 MHz, TSOP-II, 50 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061227810
Артикул
AS4C1M16S-6TIN
Бренд
Alliance Memory Inc
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0002
Package
Tray
Technology
SDRAM
Цена по запросу
(от 967 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Микросхема памяти AS4C1M16S-6TIN производителя ALLIANCE MEMORY является высококачественным SDRAM устройством, рассчитанным на частоту 166 МГц. С объемом памяти в 16Мбит, эта микросхема обеспечивает стабильную и быструю работу. Минимальное и максимальное напряжение питания составляет 3,3 В, что делает её идеальным выбором для многих современных электронных устройств. Монтаж данной микросхемы осуществляется методом SMD, а корпус TSOP50 обеспечивает легкую интеграцию в различные печатные платы. Надежность и производительность микросхемы AS4C1M16S6TIN делают её предпочтительным вариантом для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SDRAM Монтаж SMD Частота, МГц 166 Объем памяти 16Мбит Мин.напряжение питания, В 3.3 Макс.напряжение питания, В 3.3 Корпус TSOP50

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8542.32.0002
PackageTray
TechnologySDRAM
Вес, г1
СерияAS4C
Access Time5.4ns
Memory Size16Mb (1M x 16)
Memory TypeVolatile
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTSOP
Memory FormatDRAM
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case50-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
Clock Frequency166MHz
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply3V ~ 3.6V
Тип памятиSDRAM
Operating Temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
Supplier Device Package50-TSOP II
Объем памяти16Мбит
Write Cycle Time - Word, Page2ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)3 (168 Hours)
Напряжение питания, В3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)166МГц

Техническая документация