AS4C16M16SA-6TIN, микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024404415
- Артикул
- AS4C16M16SA-6TIN
- Бренд
- Alliance Memory Inc
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Type
- SDRAM
- Brand
- Alliance Memory
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Микросхема памяти AS4C16M16SA-6TIN от производителя ALLIANCE MEMORY — высокопроизводительная SDRAM с монтажом SMD, предназначенная для использования в широком спектре электронных устройств. Имеет объем памяти 256Мбит и работает на частоте 166 МГц, обеспечивая быстрый доступ и обработку данных. Микросхема выполнена в корпусе TSOP54 и характеризуется стабильной работой при минимальном и максимальном напряжении питания в 3,3 В, что делает ее идеальным выбором для систем, требующих надежности и эффективности. Используя код AS4C16M16SA6TIN для поиска, вы легко найдете этот товар для покупки в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Микросхема Тип памяти Вид SDRAM Монтаж SMD Частота, МГц 166 Объем памяти 256Мбит Мин.напряжение питания, В 3.3 Макс.напряжение питания, В 3.3 Корпус TSOP54
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Type | SDRAM |
| Brand | Alliance Memory |
| HTSUS | 8542.32.0024 |
| Width | 10.29mm |
| Package | Tray |
| Data Rate | 166MHz |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 54 |
| Technology | SDRAM |
| Вес, г | 0.57 |
| Серия | AS4C |
| Access Time | 5ns |
| Memory Size | 256Mb (16M x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| SDRAM Class | DDR |
| Manufacturer | Alliance Memory |
| Organisation | 16M x 16 |
| Organization | 16 M x 16 |
| Package Type | TSOP |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TSOP54 |
| Memory Format | DRAM |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Data Bus Width | 16 bit |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | 54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| Clock Frequency | 166MHz |
| Number of Words | 16 M |
| Memory Interface | Parallel |
| Product Category | DRAM |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Address Bus Width | 13bit |
| Тип памяти | SDRAM |
| Supply Current - Max | 60 mA |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min | 3 V |
| Factory Pack Quantity | 108 |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Maximum Clock Frequency | 166 MHz |
| Number of Bits per Word | 16bit |
| Supplier Device Package | 54-TSOP II |
| Объем памяти | 256 |
| Maximum Random Access Time | 5ns |
| Maximum Operating Temperature | +85 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Write Cycle Time - Word, Page | 12ns |
| Maximum Operating Supply Voltage | 3.6 V |
| Minimum Operating Supply Voltage | 3 V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Напряжение питания, В | 3.3 |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 166МГц |