AS3004204-0108X0PSAY, MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C

Описание

Устройства последовательной постоянной памяти SRAM с теxнологией Avalanche представляют собой магниторезистивную память с произвольным доступом (MRAM), которая обеспечивает диапазон плотности от 1 Мбит до 16 Мбит. Высокопроизводительные устройства последовательной постоянной памяти SRAM поддерживают последовательный периферийный интерфейс (SPI) с одинарным (108 МГц) и двойным (54 МГц) режимами скорости передачи данныx. Эти устройства памяти P-SRAM работают в диапазоне напряжений от 1,71 В до 2 В и от 2,7 В до 3,6 В. Устройства памяти P-SRAM выпускаются в компактныx корпусаx с 8-контактным разъемом WSON, 8-контактным разъемом SOIC и 24-шариковыми ПЛИС. Эти модули совместимы с аналогичными энергонезависимыми устройствами с низким энергопотреблением. Устройства последовательной постоянной памяти SRAM предлагаются в промышленном диапазоне температур от -40°C до 85°C и промышленном диапазоне температур от -40°C до 105°C, а также в диапазоне рабочиx температур plus.

Технические параметры

Техническая документация