APT10M11JVRU2, MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SOT227
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004581561
- Артикул
- APT10M11JVRU2
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 30
- Длина
- 38.2 mm
- Высота
- 9.6 mm
- Ширина
- 25.4 mm
Цена по запросу
(от 7 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Технические параметры
| Вес, г | 30 |
| Длина | 38.2 mm |
| Высота | 9.6 mm |
| Ширина | 25.4 mm |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Время спада | 9 ns |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Время нарастания | 48 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 450 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 142 A |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS V, ISOTOP |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |