Моя заявка (0)

APS51208N-OCH-BD, DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)

APS51208N-OCH-BD, DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018681004
Артикул
APS51208N-OCH-BD
Бренд
AP Memory
Type:
PSRAM(Pseudo SRAM)
Brand:
AP Memory
Packaging:
Tray
Вес, г
0.16
Цена по запросу
(от 2 358,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ОЗУ APSx с двойной скоростью передачи данныx (DDR), ОЗУ APSx с двойной скоростью передачи данныx (DDR), ОЗУ APSx с двойной скоростью передачи данныx (DDR) имеют диапазон напряжения питания от 1,62 до 1,98 В, тактовую частоту до 200 МГц (пропускная способность чтения/записи 400 Мбит/с) и программный сброс. Эти устройства также оснащены маской данныx (DM) для операции записи, стробоскопом данныx (DQS) для операции высокоскоростного считывания и выxодным драйвером LVCMOS с программируемой мощностью привода. ОЗУ Octal SPI с режимом DDR OctaRAM имеют байтовую адресацию и работают в диапазоне температур от -40°C до 85°C. Эти устройства выпускаются в корпусе mini-BGA 24L размером 6 мм x 8 мм x 1,2 мм.

Технические параметры

Type:PSRAM(Pseudo SRAM)
Brand:AP Memory
Packaging:Tray
Вес, г0.16
СерияAPSx
Subcategory:Memory & Data Storage
КорпусBGA-24
Manufacturer:AP Memory Technology
Package/Case:BGA-24
Product Type:DRAM
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:DRAM
Тип памятиDRAM
Factory Pack Quantity:4800
Объем памяти512МБ
Напряжение питания, В1.8
Максимальная тактовая частота (скорость)200МГц

Техническая документация