AISC-1008HQ-R10J-T, SMD Wire-wound SMD Inductor 100 nH 1A Idc

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014585098
- Артикул
- AISC-1008HQ-R10J-T
- Бренд
- Abracon
- Type
- Drum Core, Wirewound
- Mount
- Surface Mount
- Q @ Freq
- 62 @ 350MHz
- Q Factor
- 62
Цена по запросу
(от 51,64 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Катушки индуктивности с керамической обмоткой Abracon High Q подxодят для широкого спектра применений, такиx как сотовые телефоны, кабельные модемы, ADSL, ретрансляторы, Bluetooth, W-LAN, GPS, широкополосные сети, видеокамеры, жидкокристаллические телевизоры и другие электронные устройства.
Технические параметры
| Type | Drum Core, Wirewound |
| Mount | Surface Mount |
| Q @ Freq | 62 @ 350MHz |
| Q Factor | 62 |
| Shielding | Unshielded |
| Tolerance | 5% |
| Inductance | 100 nH |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | 1008 |
| Composition | Wirewound |
| Termination | SMD/SMT |
| Case/Package | 1008 |
| Package/Case | SMD |
| Core Material | Ceramic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Current Rating | 1 A |
| Max DC Current | 1 A |
| Package / Case | 1008(2520 Metric) |
| Test Frequency | 50 MHz |
| Material - Core | Ceramic |
| Series Resistance | 160 mΩ |
| Case Code (Metric) | 2520 |
| Maximum DC Current | 1A |
| RMS Current (Irms) | 1 A |
| DC Resistance (DCR) | 160 mΩ |
| Case Code (Imperial) | 1008 |
| Типоразмер | 1008 |
| Current Rating (Amps) | 1 A |
| Height - Seated (Max) | 1.905 mm |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Особенности | проволочная |
| Self Resonant Frequency | 820 MHz |
| Supplier Device Package | 1008(2520 Metric) |
| Frequency - Self Resonant | 820MHz |
| Max Operating Temperature | 125 °C |
| Min Operating Temperature | -40 °C |
| Inductance Frequency - Test | 50 MHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Длина корпуса,мм | 2.5 |
| Рабочая температура,С | -40…+125 |
| Активное сопротивление,Ом | 160.00мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 2.92 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 1000 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.1 |