Моя заявка (0)
AIKW50N60CTXKSA1 IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014554565
Артикул
AIKW50N60CTXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Brand:
Infineon Technologies
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchStopв„ў ->
Цена по запросу
(от 1 704,13 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор с изолированным затвором по теxнологии Infineon fieldstop technology с диодом, управляемым антипараллельным эмиттером, с плавным и быстрым восстановлением.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Brand:Infineon Technologies
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchStopв„ў ->
PackageTube
IGBT TypeTrench Field Stop
Pin Count3
Input TypeStandard
Packaging:Tube
Вес, г0.14
Gate Charge310nC
Power - Max333W
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:Si
Package TypePG-TO263-3
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Package / CaseTO-247-3
Test Condition400V, 50A, 7Ohm, 15V
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:AIKW50N60CT SP001346772
Switching Energy1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Product Category:IGBT Transistors
Base Product NumberAIKW50 ->
Operating Temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Td (on/off) @ 25В°C26ns/299ns
Factory Pack Quantity:240
Pd - Power Dissipation:333 W
Supplier Device PackagePG-TO247-3-41
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Maximum Power Dissipation250 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)80A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Current - Collector Pulsed (Icm)150A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Maximum Continuous Collector Current80 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C:80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V

Техническая документация