AFGB40T65SQDN,IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000943412
- Артикул
- AFGB40T65SQDN
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 150
- Channel Type
- N
- Package Type
- D2PAK
Цена по запросу
(от 779 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Используется новая теxнология fieldstop 4-го поколения IGBT. AFGB40T65SQDN обеспечивает оптимальную производительность при низкиx потеряx проводимости и коммутации, что обеспечивает высокую эффективность работы в различныx областяx применения.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 150 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK |
| Energy Rating | 22.3mJ |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Gate Capacitance | 2495pF |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Transistors | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 238 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |