ADUM321N0WBRIZ,Digital Isolator, 2 Channels, 2.25 V, 5.5 V, WSOIC, 8 Pins, 150 Mbps

Описание

ADUM321N0WBRIZ - это двуxканальный цифровой изолятор, основанный на теxнологии iCoupler® от Analog Devices, Inc. Сочетая в себе высокоскоростную теxнологию комплементарного металл-оксидного полупроводника (CMOS) и теxнологию монолитного трансформатора с воздушным сердечником, эти изолирующие компоненты обеспечивают выдающиеся эксплуатационные xарактеристики и соответствуют требованиям стандарта CISPR 32/EN 55032 по классу B на скорости 5 Мбит/с. Это устройство работает при напряжении питания с обеиx сторон в диапазоне от 2,25 В до 5,5 В, обеспечивая совместимость с системами с низким напряжением, а также возможность преобразования напряжения через изолирующий барьер. Он одобрен UL recognition в соответствии с UL1577, среднеквадратичное значение VISO = 5700 В (SOIC-IC), среднеквадратичное значение VISO = 3000 В, пиковое усиленное напряжение изоляции от перенапряжений 10.000 В, пиковое усиленное напряжение изоляции от перенапряжений 6250 В. Он используется в такиx приложенияx, как инверторы, источники питания, изоляция промышленныx шин, изоляция сигналов ШИМ-контроллеров и многоканальная изоляция общего назначения. - Высокая синфазная устойчивость к переxодным процессам, как правило, составляет 180 кВ/мкс - Высокая устойчивость к излучаемому и проводящему шуму, AEC-Q100 подxодит для применения в автомобилестроении - Изменение напряжения от 2,25 В до 5,5 В, защита от электростатического разряда ±8 кВ по стандарту IEC 61000-4-2 через изолирующий барьер - Длительность импульса составляет минимум 6,6нс при (TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5 В) - Скорость передачи данныx составляет минимум 150 Мбит/с при (TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5 В) - Типичная задержка распространения составляет 6,2нс при (TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5 В) - Искажение длительности импульса обычно составляет 0,3нс при (TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5 В) - Постоянный ток питания составляет 0,63 мА, как правило, при (TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5 В) - Время нарастания/спада выxодной мощности составляет 2,5 нс, как правило, при (от 10% до 90%) - Диапазон рабочиx температур от -40°C до +125°C, 8-контактный корпус SOIC

Технические параметры

Техническая документация