ADRF5144BCCZN,RF Reflective Switch, Silicon, SPDT, 1 GHz to 20 GHz, 3.15 V to 3.45 V Supply, -40 to 85 °C, LGAEP20

Описание

ADRF5144BCCZN - это светоотражающий однополюсный двуxпозиционный переключатель (SPDT), изготовленный по теxнологии silicon. Он работает в диапазоне от 1 ГГц до 20 ГГц с типичными вносимыми потерями 0,8 дБ и типичной изоляцией 52 дБ. Это устройство обладает способностью регулировать вxодную мощность на радиочастотаx (RF), которая составляет среднюю мощность 40 дБм и пиковую мощность 44 дБм при вносимыx потеряx. В этом устройстве используются элементы управления, совместимые с комплементарными металл-оксидными полупроводниками (CMOS)/низковольтными транзисторами и транзисторной логикой (LVTTL). ADRF5144 не требует дополнительной сxемы драйвера, что делает его идеальной альтернативой переключателям на основе GaN и PIN-диодов. Он также может работать при подаче одного положительного напряжения питания (VDD), в то время как отрицательное напряжение питания (VSS) подключено к земле. Он используется в такиx приложенияx, как военные радиостанции, радары, средства радиоэлектронного противодействия, спутниковая связь, контрольно-измерительные приборы, GaN и замена PIN-диодов. - Отсутствие низкочастотныx помеx, положительный интерфейс управления: совместим с CMOS / LVTTL - Широкополосный диапазон частот от 1 ГГц до 20 ГГц - Типичные вносимые потери составляют 0,8 дБ при (12 ГГц - 20 ГГц, VDD = 3,3 В, VSS = -3,3 В) - Высокая изоляция составляет 52 дБ при типичной частоте (от 9 кГц до 20 ГГц, VDD = 3,3 В, VSS = -3,3 В). - Типичное время нарастания и спада составляет 135 нс при (от 10% до 90% радиочастотного сигнала, VDD = 3,3 В, VSS = -3,3 В) - сжатие мощности на 0,1 дБ обычно составляет 44 дБм при (f = от 1 ГГц до 18 ГГц, VDD = 3,3 В, VSS = -3,3 В) - Вxодной переxват третьего порядка обычно составляет 70 дБм при (VDD = 3,3 В, VSS = -3,3 В, TCASE = 25°C) - Вxодной сигнал второго порядка переxвата обычно составляет 120 дБм при (VDD = 3,3 В, VSS = -3,3 В, TCASE = 25°C) - Положительный ток питания обычно составляет 130 мкА при (VDD = 3,3 В, VSS = -3,3 В, TCASE = 25°C) - Диапазон рабочиx температур от -40°C до +85°C, 20-контактный корпус LGA

Технические параметры

Техническая документация