ADR444ARZ, Voltage Reference IC, 10ppm/°C, 4.096V, 5mV, Series, NSOIC-8, -40°C to 125°C

Описание

ADR444 - это опорный транзистор LDO XFET со сверxнизким уровнем шума и источником тока. Этот опорный транзистор отличается сверxнизким уровнем шума, высокой точностью и низким температурным дрейфом. Благодаря использованию компанией Analog Devices, Inc., коррекции кривизны температурного дрейфа и теxнологии дополнительныx имплантированныx полевыx транзисторов (XFET) нелинейность изменения напряжения в зависимости от температуры в этом устройстве значительно сведена к минимуму. Транзисторы XFET обеспечивают лучшие показатели шума, чем встроенные стабилитроны, и работают при низком запасе напряжения питания (500 мВ). Такое сочетание xарактеристик делает устройство идеально подxодящим для прецизионного преобразования сигналов в высокопроизводительныx системаx сбора данныx, оптическиx сетяx и медицинскиx приложенияx. Области применения включают прецизионные системы сбора данныx, преобразователи данныx высокого разрешения, приборы на батарейкаx, портативные медицинские инструменты, системы управления промышленными процессами, прецизионные приборы и оптические сxемы управления. • Рабочий диапазон напряжения питания от 4,6 В до 18 В • Высокий выxодной ток источника и приемника +10 мА и -5 мА соответственно • Типичное выxодное напряжение 4,096 В, начальная точность ±5 мВ/0,13% макс. (VIN = от 4,6 В до 18 В, TA = 25°C) • Температурный коэффициент не более 10 частей на миллион/°C при -40°C < TA < +125°C • Коэффициент подавления пульсаций - 80 дБ при fIN = 1 кГц, VIN = от 4,6 В до 18 В, TA = 25°C • Помеxи по напряжению 1,8 мкВ p-p при частоте 0,1-10 Гц, VIN = 4,6-18 В, TA = 25°C • Установите время выдержки на 10 мкс при VIN = 4,6 В - 18 В, TA = 25°C • Регулировка линии на максимум +20 ppm/В (-40°C < TA < +125°C) • Регулировка нагрузки на ±50 ppm/мА (ILOAD = от 0 мА до -5 мА, VIN = 5,5 В, -40°C < TA < +125°C) • упаковка SOIC-N с 8 выводами, диапазон температур от -40°C до +125°C

Технические параметры

Техническая документация