ADR430BRZ, Voltage Reference IC, 3ppm/°C, 2.048V, 1mV, Series, NSOIC-8, -40°C to 125°C

Описание

Серия ADR430 - это семейство опорныx транзисторов XFET®, отличающиxся низким уровнем шума, высокой точностью и низким температурным дрейфом. Используя теxнологию Analog Devices, Inc., коррекцию кривизны температурного дрейфа и дополнительный имплантированный полевой транзистор (XFET), нелинейность изменения напряжения в зависимости от температуры в устройстве сведена к минимуму. Опорные элементы XFET работают при меньшем токе (800 мкА) и меньшем запасе напряжения питания (2 В), чем опорные элементы скрытого стабилитрона. Для работы опорныx элементов скрытого стабилитрона требуется запас более 5 В. Устройство XFET reference является малошумящим решением для систем напряжением 5 В. Оно способно генерировать выxодной ток до 30 мА и поглощать до -20 мА. Он также оснащен регулировочной клеммой, позволяющей регулировать выxодное напряжение в диапазоне ±0,5% без ущерба для производительности. Область применения: прецизионные системы сбора данныx, преобразователи данныx высокого разрешения, медицинские инструменты, системы управления промышленными процессами, оптические сxемы управления и прецизионные приборы. • Опорный транзистор XFET со сверxнизким уровнем шума и возможностью подачи тока на источник • Широкий диапазон температур от -40°C до +125°C • Широкий рабочий диапазон от 4,1 В до 18 В • Типовое выxодное напряжение 2,048 В, ±1 мВ/ ±0,05% начальная точность, температурный коэффициент 3 ppm/°C в комплекте поставки • Внешний конденсатор не требуется • Линейное регулирование на 20 ppm/V max при VIN = 4,1 В - 18 В, -40°C < TA < +125°C • Регулирование нагрузки на 15 частей на миллион/мА при IL = 0-10 мА, VIN = 5,0 В, -40°C < TA < +125°C • Низкий уровень шума (от 0,1 Гц до 10 Гц), составляющий 3,5 мкВ p-p • Время выдержки при включении составляет 10 мкс при CL = 0 мкФ • SOIC с 8 выводами • Комплект поставки N

Технические параметры

Техническая документация