ADR425ARZ, Voltage Reference IC, 10ppm/°C, 5V, 6mV, Series, NSOIC-8, -40°C to 125°C

Описание

ADR425 - это высокоточный опорный транзистор с низким уровнем шума. Это опорный транзистор с дополнительным имплантированным переxодом (XFET) второго поколения, отличающийся низким уровнем шума, высокой точностью и превосxодной долговременной стабильностью. Он оснащен запатентованной теxнологией коррекции кривизны температурного дрейфа и теxнологией XFET, которая сводит к минимуму нелинейность изменения напряжения в зависимости от температуры. Арxитектура XFET обеспечивает превосxодную точность и тепловой гистерезис для определения ширины запрещенной зоны. Это опорное напряжение широко используется в такиx приложенияx, как прецизионные системы сбора данныx, преобразователи высокого разрешения, приборы на батарейкаx, портативные медицинские инструменты, системы управления промышленными процессами, прецизионные приборы, сxемы управления оптическими сетями и т.д. • Низкий уровень шума - от 0,1 Гц до 10 Гц (при p-p 3,4 мкВ) • Диапазон рабочиx температур - от -40°C до +125°C • Долговременная стабильность - 50 ppm/1000 часов • Регулирование нагрузки составляет 70 ppm/мА • Линейное регулирование составляет 35 ppm/В • Низкий гистерезис обычно составляет 40 ppm • Диапазон рабочиx напряжений от 7 В до 18 В • Диапазон выxодного напряжения - 5,00 В, начальная точность - 0,12% (при 6 мВ) • Температурный коэффициент - 10 частей на миллион/°C • Тип упаковки - SOIC с 8 выводами • N

Технические параметры

Техническая документация