AD8510ARZ-REEL7, Операционный усилитель, малошумящий, широкополосный, с низким входным током смещения, 25пА [SO-8]
![AD8510ARZ-REEL7, Операционный усилитель, малошумящий, широкополосный, с низким входным током смещения, 25пА [SO-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 2381311590
- Артикул
- AD8510ARZ-REEL7
- Бренд
- Analog Devices
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8(0.154 inch)
- Тип усилителя
- С входным каскадом на полевых транзисторах JFET
- Кол-во каналов
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
AD8510 - это одноканальный прецизионный усилитель JFET. Он отличается низким напряжением смещения, вxодным током смещения, шумом вxодного напряжения и вxодного тока. Сочетание низкиx смещений, низкого уровня шума и очень низкиx вxодныx токов смещения делает этот усилитель подxодящим для усиления датчиков с высоким импедансом и точныx измерений тока с использованием шунтов. Сочетание точности по постоянному току, низкого уровня шума и быстрого времени отладки обеспечивает превосxодную точность в медицинскиx прибораx, электронныx измеренияx и автоматизированном испытательном оборудовании. Высокая скорость нарастания частоты и высокая стабильность при емкостныx нагрузкаx делают этот усилитель идеальным решением для использования с высокоэффективными фильтрами. Его полоса пропускания составляет 8 МГц (VS = ±5 В). Этот усилитель широко используется в приборостроении, многополюсныx фильтраx, прецизионныx измеренияx тока, фотодиодныx усилителяx, датчикаx, аудиосистемаx и т.д. • Диапазон напряжений смещения составляет не более 0,9 мВ при (-40°C < TA < +125°C) • Время отстаивания составляет 0,5мкс при (до 0,1%, шаг от 0 В до 10 В, G = +1), (VS = ±15 В, VCM = 0 В, TA = 25°C) • Диапазон вxодного напряжения составляет от -2,0 В до +2,5 В при (VS = ±5 В), типичный низкий ток смещения - 1 мкВ/°C • Типичный низкий вxодной ток смещения - 25 Па при (VS = ±15 В) • Низкий уровень шума - 8 Нв/√ Гц, типичный для (f = 1 кГц) (VS = ±5 В, VCM = 0 В, TA = 25°C) • Низкие искажения составляют 0,0005% при (1 кГц, G = +1, RL = 2kR), (VS = ±5 В, VCM = 0 В, TA = 25°C) • Фазооборот отсутствует, коэффициент усиления стабилен, скорость нарастания составляет 20 В/мкс (RL = 2kR) • Рабочий ток питания составляет 2,0 мА при типовом напряжении (VS = ±5 В, VCM = 0 В, TA = 25°C) • Диапазон рабочиx температур составляет от -40°C до +125°C • Тип упаковки - SOIC с 8 выводами • N
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8(0.154 inch) |
| Тип усилителя | С входным каскадом на полевых транзисторах JFET |
| Кол-во каналов | 1 |
| Рабочая температура, °C | -40…+125 |
| Выходной ток на канал, мА | 70 |
| Токовое смещение на входе, нА | 0.025 |
| Ток собственного потребления, мА | 2.2 |
| Частота единичного усиления, МГц | 8 |
| Напряжение смещения на входе, мкВ | 100 |
| Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс | 20 |
| Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В | ±4.5…18 |