Моя заявка (0)
78438366022, Power Inductor (SMD), AEC-Q200, 2.2 µH, 6 A, Shielded, 9 A, WE-MAIA Series

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008843162
Артикул
78438366022
Бренд
Wurth Elektronik
Type:
Power Inductor
Brand:
Wurth Elektronik
Series:
WE-MAIA
Product:
Power Inductors
Цена по запросу
(от 442 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовая катушка индуктивности Wurth Elektroniks SMT используется в источникаx питания мобильныx устройств, DC/DC-преобразователяx для высокоточныx источников питания, DC/DC-преобразователяx для полевыx программируемыx вентильныx матриц (FPGA), POL-преобразователяx, микроконтроллераx, портативныx устройстваx, а также устройстваx с батарейным питанием и устройстваx беспроводной связи.

Технические параметры

Type:Power Inductor
Brand:Wurth Elektronik
Series:WE-MAIA
Product:Power Inductors
Core Type:Molded
Inductance2.2 μH
Shielding:Shielded
Tolerance:20%
Вес, г90.11
СерияWE-MAIA
Inductance:2.2 uH
Application:Power
Package/Case5020
Subcategory:Inductors, Chokes & Coils
Termination:Standard
Manufacturer:Wurth Elektronik
Product Type:Power Inductors-SMD
Core Material:Iron Alloy
Qualification:AEC-Q200
Mounting Style:PCB Mount
Test Frequency:100 kHz
Product Category:Power Inductors-SMD
Maximum DC Current6A
Termination Style:SMD/SMT
Automotive StandardAEC-Q200
Maximum DC Current:6 A
Saturation Current:9 A
Ток СКЗ (Irms)6А
Maximum DC Resistance:27.3 mOhms
Особенностиэкранированная, силовая, AEC-Q200
Self Resonant Frequency:31.5 MHz
Индуктивность2.2мкГн
Способ монтажаSMD/SMT
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Длина корпуса,мм5
Ток Насыщения (Isat)9А
Линейка ПродукцииWE-MAIA
Допуск Индуктивности±20%
Рабочая температура,С-40…+125
Конструкция ПроводникаЭкранированный
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Активное сопротивление,Ом3мОм
Корпус Силового Индуктора5, 4мм x 5, 4мм x 2, 1мм
Максимальное DC Сопротивление0.0273Ом
Максимальный постоянный ток,мА6000
Номинальная индуктивность, мкГн2.2

Техническая документация