744765075GA, RF Inductors - SMD WE-KI 0402 7.5nH 2% 680mA DCR= 104mOhms AEC-Q200
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018673740
- Артикул
- 744765075GA
- Бренд
- Wurth Elektronik
- Type
- Drum Core, Wirewound
- Type:
- Wirewound
- Brand:
- Wurth Elektronik
- Ratings
- AEC-Q200
Цена по запросу
(от 62,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые катушки индуктивности и синфазные дроссели Würth Elektronik представлены в разработкаx ведущиx производителей полупроводниковыx приборов и сразу же доступны для использования в моделировании. Благодаря широкому ассортименту силовыx катушек индуктивности можно оптимизировать прототипы и приложения, критически важные для обеспечения электромагнитной совместимости.
Технические параметры
| Type | Drum Core, Wirewound |
| Type: | Wirewound |
| Brand: | Wurth Elektronik |
| Ratings | AEC-Q200 |
| Product: | Power Inductors |
| Q @ Freq | 25 @ 250MHz |
| Shielding | Unshielded |
| Tolerance | ±0.2nH |
| Inductance | 7.5 nH |
| Tolerance: | 2% |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | WE-KI |
| Inductance: | 7.5 nH |
| Subcategory: | Inductors, Chokes & Coils |
| Manufacturer: | Wurth Elektronik |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | RF Inductors-Leaded |
| Core Material: | Ceramic |
| Package / Case | 0402(1005 Metric) |
| Qualification: | AEC-Q200 |
| Material - Core | Ceramic |
| Mounting Style: | PCB Mount |
| Product Category: | RF Inductors-SMD |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| DC Resistance (DCR) | 104mOhm Max |
| Типоразмер | 0402 |
| Current Rating (Amps) | 680 mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высокочастотная, AEC-Q200 |
| Supplier Device Package | 0402 |
| Frequency - Self Resonant | 5.8GHz |
| Inductance Frequency - Test | 250 MHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Длина корпуса,мм | 1 |
| Активное сопротивление,Ом | 104мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 4 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 680 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0.0075 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 2 |