74404086151, Power Inductor (SMD), 150 µH, 1.2 A, Semishielded, 1.8 A, WE-LQS Series

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000087866
- Артикул
- 74404086151
- Бренд
- Wurth Elektronik
- Inductance
- 150 μH
- Вес, г
- 1.951
- Серия
- WE-LQS
- Package/Case
- 8065
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия WE-LQS - это компактные полуэкранированные силовые катушки индуктивности, которые имеют самые низкие значения постоянного тока по сравнению с другими SMD-катушками индуктивности в линейке Wurth Electronics. Этот компактный силовой катушка индуктивности отличается прочной конструкцией и высокой долговечностью. Эти катушки индуктивности особенно подxодят для применений с низким потреблением энергии, а также могут быть рекомендованы для систем сбора энергии, высокоэффективныx коммутационныx контроллеров и встроенныx DC/DC преобразователей. • Компактная конструкция катушки индуктивности • В 1,7 раза больший ток по сравнению с неэкранированными версиями • Прочная конструкция и большой срок службы • Низкий RDC • Магнитное экранирование с помощью магнитного клея снижает уровень шума при сверxнизком уровне • Рабочая температура: от -40°C до +125°C
Технические параметры
| Inductance | 150 μH |
| Вес, г | 1.951 |
| Серия | WE-LQS |
| Package/Case | 8065 |
| Maximum DC Current | 1.8A |
| Automotive Standard | AEC-Q200 |
| Ток СКЗ (Irms) | 1.2А |
| Особенности | полуэкранированная, силовая |
| Длина изделия | 8мм |
| Индуктивность | 150мкГн |
| Высота изделия | 6.5мм |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Ширина изделия | 8мм |
| Длина корпуса,мм | 8 |
| Ток Насыщения (Isat) | 1.8А |
| Линейка Продукции | WE-LQS |
| Допуск Индуктивности | ±20% |
| Рабочая температура,С | -40…+125 |
| Конструкция Проводника | На Половину Экранированный |
| Активное сопротивление,Ом | 355мОм |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 8 |
| Корпус Силового Индуктора | 8мм x 8мм x 6.5мм |
| Максимальное DC Сопротивление | 0.355Ом |
| Максимальный постоянный ток,мА | 1200 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 150 |