71V416S12PHG8, 3V~3.6V TSOPII-44-10.2mm SRAM ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062541079
- Артикул
- 71V416S12PHG8
- Бренд
- Renesas Technology
- Type:
- Asynchronous
- Brand:
- Renesas Electronics
- Series:
- 71V416S12
- SRAM Type
- Asynchronous SRAM
Цена по запросу
(от 2 228,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | Asynchronous |
| Brand: | Renesas Electronics |
| Series: | 71V416S12 |
| SRAM Type | Asynchronous SRAM |
| Вес, г | 0.01 |
| Access Time: | 12 ns |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Organization: | 256 k x 16 |
| Product Type: | SRAM |
| Interface Type: | Parallel |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOP-44 |
| Part # Aliases: | IDT71V416S12PHG8 71V416 |
| IC Case / Package | TSOP-II |
| Product Category: | SRAM |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Memory Configuration | 256K x 16bit |
| Supply Current - Max: | 180 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 3 V |
| Время Доступа | 12нс |
| Размер Памяти | 4Мбит |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Плотность Памяти | 4Мбит |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Количество Выводов | 44вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 256К x 16бит |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Диапазон Напряжения Питания | 3В до 3.6В |
| Минимальное Напряжение Питания | 3В |
| Номинальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | 0°C |
| Максимальная Рабочая Температура | 70°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |