4N36M, Transistor Output Optocouplers Optocoupler Phototransistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673727
- Артикул
- 4N36M
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.331
- Длина
- 8.89 mm
- Серия
- 4N36M
- Высота
- 5.08 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Оптопара транзисторная 4N36M от ONSEMI отличается высокой эффективностью передачи сигнала (CTR@If) в диапазоне 100-200%@10mA и обеспечивает качественную изоляцию сигналов благодаря напряжению изоляции 7.5 кВ. Оснащена одним каналом с максимальным выходным напряжением 30В и коротким временем включения/выключения всего 2 мкс, что делает её идеальным выбором для быстрых коммутационных процессов. Корпус DIP6 гарантирует удобство монтажа THT. Благодаря этим характеристикам, 4N36M находит широкую область применения в различных электронных системах, где требуется надежная изоляция и быстрая передача сигналов. Характеристики Категория Оптопара Тип транзисторная CTR@If 100-200%@10mA Вид выхода транзистор Кол-во каналов 1 Выходное напряжение макс., В 30 Время включения, мкс 2 Время выключения, мкс 2 Напряжение изоляции, кВ 7.5 Монтаж THT Корпус DIP6
Технические параметры
| Вес, г | 1.331 |
| Длина | 8.89 mm |
| Серия | 4N36M |
| Высота | 5.08 mm |
| Ширина | 6.6 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Тип выхода | NPN Phototransistor |
| Тип продукта | Transistor Output Optocouplers |
| If - прямой ток | 60 mA |
| Конфигурация | 1 Channel |
| Подкатегория | Optocouplers |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | PDIP-6 |
| Категория продукта | Транзисторные выходные оптопары |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Напряжение изоляции | 7500 Vrms |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Vr - обратное напряжение | 6 V |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 4N36M_NL |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 30 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |