Моя заявка (0)
4N33SR2M, Transistor Output Optocouplers PHOTO DARL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004832419
Артикул
4N33SR2M
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Brand
ON Semiconductor/Fairchild
Width
6.6 mm
Height
3.53 mm
Цена по запросу
(от 90,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторные выходные оптопары PHOTO DARL

Технические параметры

RoHSDetails
BrandON Semiconductor/Fairchild
Width6.6 mm
Height3.53 mm
Length8.89 mm
Series4N33M
PackagingReel
Вес, г0.81
Длина8.89 mm
Серия4N33M
Output TypePhotodarlington
Unit Weight0.028572 oz
Logic OutputYes
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeDIP
Высота3.53 mm
Ширина6.6 mm
Configuration1 Channel
Mounting TypeSurface Mount
Output DeviceDarlington
Number of Pins6
Package / CaseSMD-DIP-6
Product CategoryTransistor Output Optocouplers
Isolation Voltage7500 Vrms
Typical Fall Time100µs
Typical Rise Time5µs
Number of Channels1 Channel
Тип выходаPhotodarlington
If - Forward Current80 mA
Vf - Forward Voltage1.5 V
Vr - Reverse Voltage3 V
Factory Pack Quantity1000
Maximum Input Current3 A
Pd - Power Dissipation250 mW
Maximum Forward Voltage1.5V
Тип продуктаTransistor Output Optocouplers
If - прямой ток80 mA
Конфигурация1 Channel
ПодкатегорияOptocouplers
Maximum Collector Current150 mA
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSMD-DIP-6
Maximum Operating Temperature+100 C
Minimum Operating Temperature-40 C
Maximum Current Transfer Ratio500%
Maximum Collector Emitter Voltage30 V
Категория продуктаТранзисторные выходные оптопары
Количество каналов1 Channel
Напряжение изоляции7500 Vrms
Vf - прямое напряжение1.5 V
Vr - обратное напряжение3 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Pd - рассеивание мощности250 mW
Размер фабричной упаковки1000
Максимальный коллекторный ток150 mA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 100 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер30 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V

Техническая документация