Моя заявка (0)

2SCR533P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3

2SCR533P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025583547
Артикул
2SCR533P5T100
Бренд
Rohm
Pin Count
3+Tab
Вес, г
0.14
Серия
2SxR
Package Type
SOT-89
Цена по запросу
(от 38,53 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3

Технические параметры

Pin Count3+Tab
Вес, г0.14
Серия2SxR
Package TypeSOT-89
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation500мВт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min180hFE
Minimum DC Current Gain180
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationCommon Emitter
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation500 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-89-3
Continuous Collector Current3А
Maximum DC Collector Current3 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector Emitter Voltage Max50В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW
Другие названия товара №2SCR533P5
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-89
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер130 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.450 at 50 mA, 3 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180 at 50 mA, 3 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)320 MHz

Техническая документация