Моя заявка (0)
2N7002PS,115, MOSFETs SOT363 2NCH 60V .32A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025536362
Артикул
2N7002PS,115
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Product:
MOSFET Small Signal
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 12 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой N-MOSFET 2N7002PS,115 от производителя NEXPERIA представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SC88. Этот транзистор имеет ток стока 0,32 А и напряжение сток-исток до 60 В, что делает его отличным выбором для различных электронных схем. Мощность устройства составляет 0,42 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 1 Ом, обеспечивая эффективную работу и минимальные потери. Код товара 2N7002PS115 повторно подтверждает его уникальность и легкость идентификации среди аналогов. Этот транзистор идеально подходит для широкого спектра областей применения, от усилителей до переключающих устройств, благодаря своим выдающимся характеристикам и надежности, гарантированной NEXPERIA. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.32 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.42 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1 Корпус SC88

Технические параметры

Brand:Nexperia
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:4 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-363-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934064134115
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:800 pC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:280 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:320 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация