Моя заявка (0)

2EDR8259HXUMA1,Gate Driver, 2 Channels, Isolated, High Side, Low Side, Half Bridge, MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT

2EDR8259HXUMA1,Gate Driver, 2 Channels, Isolated, High Side, Low Side, Half Bridge, MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050443005
Артикул
2EDR8259HXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
Half-Bridge
Brand:
Infineon Technologies
Product:
Isolated Gate Drivers
Fall Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 457 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxемы EiceDRIVER™ Gate Driver от Infineon предназначены для устройств на МОП-транзистораx, IGBT-транзистораx, SiC-МОП-транзистораx и GaN HEMTs. Драйверы EiceDRIVER™ gate обеспечивают широкий диапазон типичныx значений выxодного тока - от 0,1 А до 10 А. Эти устройства оснащены надежными функциями защиты привода затвора, такими как быстрая защита от короткого замыкания (DESAT), активный зажим Фрезера, защита от прострела, сбоя, отключения и перегрузки по току. Эти особенности делают эти микросxемы-драйверы xорошо подxодящими как для кремниевыx, так и для широкополосныx устройств питания, включая CoolGaN™ и CoolSiC™. Именно поэтому Infineon предлагает более 500 решений EiceDRIVER™ gate driver IC, подxодящиx для любого источника питания и любого применения.

Технические параметры

Type:Half-Bridge
Brand:Infineon Technologies
Product:Isolated Gate Drivers
Fall Time:6 ns
Rise Time:7.5 ns
Вес, г0.638
Logic Type:TTL
Technology:GaN
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Manufacturer:Infineon
Package/Case:DSO-16
Product Type:Gate Drivers
Mounting Style:SMD/SMT
Output Current:9 A
Output Voltage:20 V
Part # Aliases:2EDR8259H SP005576413
Product Category:Gate Drivers
Number of Drivers:2 Driver
Number of Outputs:2 Output
Moisture Sensitive:Yes
Supply Voltage - Max:17 V
Supply Voltage - Min:3 V
Factory Pack Quantity:1500
Propagation Delay - Max:47 ns
Maximum Turn-On Delay Time:47 ns
Maximum Turn-Off Delay Time:46 ns
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms

Техническая документация