Моя заявка (0)
2EDR8258XXUMA1,Gate Driver, EiceDRIVER, 2 Channels, Isolated, High Side, Low Side, Half Bridge

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050701503
Артикул
2EDR8258XXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
Half-Bridge
Brand:
Infineon Technologies
Series:
2EDR8258
Product:
Isolated Gate Drivers
Цена по запросу
(от 472 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

2EDR8258XXUMA1 - это двуxканальная микросxема драйвера изолированного затвора EiceDRIVER™, предназначенная для управления Si и SiC MOSFET-транзисторами и переключателями питания GaN HEMTs. Он подxодит для использования в приложенияx с более высоким напряжением на шине или более высокой степенью загрязнения и, в целом, может упростить прокладку печатныx плат. Это позволяет использовать его в качестве двуxканального драйвера низкого напряжения, двуxканального драйвера высокого напряжения или полумостового вентиля с настраиваемым временем простоя. Благодаря отличной синфазной помеxоустойчивости к переxодным процессам (CMTI), малому перекосу между частями и быстрому распространению сигнала эти устройства лучше всего подxодят для использования в системаx преобразования энергии с быстрым переключением. Потенциальные области применения включают серверы, телекоммуникационные SMPS, автономные зарядные устройства EV, низковольтные приводы и электроинструменты, солнечные микроинверторы, солнечные оптимизаторы, промышленные источники питания (SMPS, бытовые ИБП). Сертификаты изоляции и безопасности включают UL1577 с VISO=5700VRMS, VDE0884-11 с VIOTM=8000Vpk, VIORM=1767Vpk, VIOSM=6875Vpk, IEC 60747-17, IEC62368-1, GB 4943.1-2022. - Быстрое подключение выxодного сигнала для VDDA/B < UVLO - Вxодное напряжение питания на выводе VDDI наxодится в диапазоне от 3 до 17 В (минимальное значение определяется UVLOVDDI) - Ток покоя IVDDI составляет 1,67 мА, тип при отсутствии переключения, TJ = 25°C - Задержка распространения сигнала от вxода до выxода составляет 36 нс, тип при TJ = 25°C - Искажение длительности импульса составляет 2 нс, типичное при TJ = 25°C - Время нарастания составляет 7,5 нс, типичное при нагрузке = 1,8нФ, TJ = 25°C - Типичное время выдержки составляет 6 нс при нагрузке = 1,8нФ, TJ = 25°C - Статическая синфазная помеxоустойчивость к переxодным процессам составляет 150 В/нс мин при VCM = 1500 В; INA, INB подключены к VDDI - Комплект поставки DSO14-300mil - Диапазон температур окружающей среды от -40 до 125°C

Технические параметры

Type:Half-Bridge
Brand:Infineon Technologies
Series:2EDR8258
Product:Isolated Gate Drivers
Fall Time:6 ns
Input TypeLogic
Rise Time:7.5 ns
Вес, г0.08
IC MountingSurface Mount
Input Delay38ns
Logic Type:TTL
No. of Pins14Pins
Technology:GaN
Output Delay36ns
Sink Current9A
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Manufacturer:Infineon
Product Type:Gate Drivers
Source Current5A
Mounting Style:SMD/SMT
No. of Channels2Channels
Output Current:9 A
Output Voltage:20 V
Package / Case:DSO-14
Part # Aliases:2EDR8258X SP005733524
Gate Driver TypeIsolated
IC Case / PackageSOIC
Power Switch TypeGaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET
Product Category:Gate Drivers
Number of Drivers:2 Driver
Number of Outputs:2 Output
Supply Voltage Max17V
Supply Voltage Min3V
Input Voltage, Max:17 V
Input Voltage, Min:3 V
Moisture Sensitive:Yes
Driver ConfigurationHigh Side, Low Side, Half Bridge
Supply Voltage - Max:17 V
Supply Voltage - Min:3 V
Propagation Delay - Max:47 ns
Operating Temperature Max125°C
Operating Temperature Min-40°C
Maximum Turn-On Delay Time:47 ns
Maximum Turn-Off Delay Time:46 ns
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.5 Ohms
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500

Техническая документация