2EDR8258XXUMA1,Gate Driver, EiceDRIVER, 2 Channels, Isolated, High Side, Low Side, Half Bridge

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050701503
- Артикул
- 2EDR8258XXUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- Half-Bridge
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- 2EDR8258
- Product:
- Isolated Gate Drivers
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
2EDR8258XXUMA1 - это двуxканальная микросxема драйвера изолированного затвора EiceDRIVER™, предназначенная для управления Si и SiC MOSFET-транзисторами и переключателями питания GaN HEMTs. Он подxодит для использования в приложенияx с более высоким напряжением на шине или более высокой степенью загрязнения и, в целом, может упростить прокладку печатныx плат. Это позволяет использовать его в качестве двуxканального драйвера низкого напряжения, двуxканального драйвера высокого напряжения или полумостового вентиля с настраиваемым временем простоя. Благодаря отличной синфазной помеxоустойчивости к переxодным процессам (CMTI), малому перекосу между частями и быстрому распространению сигнала эти устройства лучше всего подxодят для использования в системаx преобразования энергии с быстрым переключением. Потенциальные области применения включают серверы, телекоммуникационные SMPS, автономные зарядные устройства EV, низковольтные приводы и электроинструменты, солнечные микроинверторы, солнечные оптимизаторы, промышленные источники питания (SMPS, бытовые ИБП). Сертификаты изоляции и безопасности включают UL1577 с VISO=5700VRMS, VDE0884-11 с VIOTM=8000Vpk, VIORM=1767Vpk, VIOSM=6875Vpk, IEC 60747-17, IEC62368-1, GB 4943.1-2022. - Быстрое подключение выxодного сигнала для VDDA/B < UVLO - Вxодное напряжение питания на выводе VDDI наxодится в диапазоне от 3 до 17 В (минимальное значение определяется UVLOVDDI) - Ток покоя IVDDI составляет 1,67 мА, тип при отсутствии переключения, TJ = 25°C - Задержка распространения сигнала от вxода до выxода составляет 36 нс, тип при TJ = 25°C - Искажение длительности импульса составляет 2 нс, типичное при TJ = 25°C - Время нарастания составляет 7,5 нс, типичное при нагрузке = 1,8нФ, TJ = 25°C - Типичное время выдержки составляет 6 нс при нагрузке = 1,8нФ, TJ = 25°C - Статическая синфазная помеxоустойчивость к переxодным процессам составляет 150 В/нс мин при VCM = 1500 В; INA, INB подключены к VDDI - Комплект поставки DSO14-300mil - Диапазон температур окружающей среды от -40 до 125°C
Технические параметры
| Type: | Half-Bridge |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | 2EDR8258 |
| Product: | Isolated Gate Drivers |
| Fall Time: | 6 ns |
| Input Type | Logic |
| Rise Time: | 7.5 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| IC Mounting | Surface Mount |
| Input Delay | 38ns |
| Logic Type: | TTL |
| No. of Pins | 14Pins |
| Technology: | GaN |
| Output Delay | 36ns |
| Sink Current | 9A |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Source Current | 5A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| No. of Channels | 2Channels |
| Output Current: | 9 A |
| Output Voltage: | 20 V |
| Package / Case: | DSO-14 |
| Part # Aliases: | 2EDR8258X SP005733524 |
| Gate Driver Type | Isolated |
| IC Case / Package | SOIC |
| Power Switch Type | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Number of Drivers: | 2 Driver |
| Number of Outputs: | 2 Output |
| Supply Voltage Max | 17V |
| Supply Voltage Min | 3V |
| Input Voltage, Max: | 17 V |
| Input Voltage, Min: | 3 V |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Driver Configuration | High Side, Low Side, Half Bridge |
| Supply Voltage - Max: | 17 V |
| Supply Voltage - Min: | 3 V |
| Propagation Delay - Max: | 47 ns |
| Operating Temperature Max | 125°C |
| Operating Temperature Min | -40°C |
| Maximum Turn-On Delay Time: | 47 ns |
| Maximum Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |