Моя заявка (0)
2ED2109S06FXUMA1 MOSFET Gate Driver, 290 mA, 20V 8-Pin, DSO

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024574961
Артикул
2ED2109S06FXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Тип
High Side, Low Side
Fall Time
80ns
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 243,67 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon 2ED2109S06F - это высоковольтный, высокоскоростной силовой МОП-транзистор и IGBT-драйвер с независимыми выxодными каналами высокого и низкого напряжения.

Технические параметры

ТипHigh Side, Low Side
Fall Time80ns
Pin Count8
Вес, г1
Package TypeDSO
Output Current290 mA
Supply Voltage20V
ПродуктIGBT, MOSFET Gate Drivers
УпаковкаReel, Cut Tape
IC Case / PackageSOIC
Ток стока700мА
Тип логикиCMOS, LSTTL
Ток истока290мА
ОтключениеShutdown
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада35 ns
Выходной ток230 mA, 650 mA
Тип продуктаGate Drivers
ПодкатегорияPMIC - Power Management ICs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокDSO-8
Задержка Выхода200нс
Время нарастания100 ns
Задержка по Входу740нс
Категория продуктаДрайверы для управления затвором
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество Каналов1канал(-ов)
Количество выходов2 Output
Количество драйверов2 Driver
Конфигурация ПриводаПолумост
Стиль Корпуса ПриводаSOIC
Pd - рассеивание мощности0.625 W
Напряжение питания - мин.10 V
Другие названия товара №2ED2109S06F SP001710062
Напряжение питания - макс.20 V
Размер фабричной упаковки2500
Тип переключателя питанияIGBT, MOSFET
Чувствительный к влажностиYes
Рабочий ток источника питания450 uA
Минимальное Напряжение Питания10В
Задержка распространения - макс.1030 ns
Максимальное Напряжение Питания20В
Минимальная Рабочая Температура-40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальное время задержки включения1030 ns
Максимальное время задержки выключения300 ns
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация