Моя заявка (0)

2ED2101S06FXUMA1, 650 V High-Side and Low-Side Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode

2ED2101S06FXUMA1, 650 V High-Side and Low-Side Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043295912
Артикул
2ED2101S06FXUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
High-Side, Low-Side
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Fall Time
35ns
Цена по запросу
(от 194 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высоковольтный, высокоскоростной силовой МОП-транзистор Infineon и IGBT-драйвер с независимыми выxодными каналами высокого и низкого напряжения.

Технические параметры

Type:High-Side, Low-Side
Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT, MOSFET Gate Drivers
Fall Time35ns
Load TypeIGBT;MOSFET
Pin Count8
Rise Time70ns
Fall Time:35 ns
Logic TypeCMOS, LSTTL
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:70 ns
Вес, г0.82
Package TypeDSO
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Manufacturer:Infineon
Product Type:Gate Drivers
Output Current290 mA
Supply Voltage10 → 20V
Mounting Style:SMD/SMT
Output Current:700 mA
Part # Aliases:2ED2101S06F SP001896440
Number of Drivers2
Product Category:Gate Drivers
Number of Drivers:2 Driver
Number of Outputs:2 Output
Moisture Sensitive:Yes
Driven ConfigurationHigh side;Low Edge
Supply Voltage - Max:20 V
Supply Voltage - Min:10 V
Peak Output Current(sink)700mA
Peak Output Current(source)290mA
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация