24LC512T-I/SN, Интегральная микросхема памяти EEPROM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017529292
- Артикул
- 24LC512T-I/SN
- Бренд
- Microchip Technology
- PPAP
- No
- Brand
- Microchip Technology
- Density
- 512 Kb
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 147 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 400КГц 8SOIC
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand | Microchip Technology |
| Density | 512 Kb |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | 8SOIC N |
| Mounting | Surface Mount |
| Rad Hard | No |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.17 |
| Серия | 24LC |
| Access Time | 900 ns |
| Memory Size | 512 kbit |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Memory и Data Storage |
| Manufacturer | Microchip |
| Organization | 64 k x 8 |
| Product Type | EEPROM |
| Корпус | SOIC-8(3.90мм) |
| Data Retention | 200 Year |
| Interface Type | Serial, 2-Wire, I2C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 |
| Programmability | Yes |
| Product Category | EEPROM |
| Supplier Package | SOIC N |
| Chip Density (bit) | 512K |
| Moisture Sensitive | Yes |
| Process Technology | CMOS |
| Programming Voltage | 2.5 V to 5.5 V |
| Тип памяти | EEPROM |
| Supply Current - Max | 5 mA |
| Supply Voltage - Max | 5.5 V |
| Supply Voltage - Min | 2.5 V |
| Data Retention (Year) | 200(Min) |
| Factory Pack Quantity | 3300 |
| Max. Access Time (ns) | 900 |
| Operating Temperature | -40 to 85 ?C |
| Standard Package Name | SO |
| Operating Current (mA) | 5 |
| Maximum Clock Frequency | 1 MHz |
| Programming Voltage (V) | 2.5 to 5.5 |
| Объем памяти | 512 Кбит(64К x 8) |
| Hardware Data Protection | Yes |
| Operating Supply Current | 5 mA |
| Operating Supply Voltage | 2.5 V to 5.5 V |
| Размер Памяти | 512Кбит |
| Maximum Random Access Time | 900 ns |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Maximum Operating Frequency | 0.4 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +85 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Number of Bits per Word (bit) | 8 |
| Тактовая Частота | 400кГц |
| Typical Operating Supply Voltage | 3.3|5 V |
| Тип Интерфейса ИС | I2C |
| Maximum Operating Frequency (MHz) | 0.4 |
| Линейка Продукции | 512Kbit I2C Serial EEPROM |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 5.5 |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 2.5 |
| Typical Operating Supply Voltage (V) | 3.3|5 |
| Напряжение питания, В | 2.5…5.5 |
| Тип интерфейса памяти | Serial I2C(2-Wire) |
| Рабочая температура, °C | -40…+85 |
| Конфигурация Памяти EEPROM | 64К x 8бит |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.5В |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | SOIC |
| Максимальное Напряжение Питания | 5.5В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 400 кГц |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |