23LC1024T-I/SN,SRAM, Synchronous SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, SOIC, 8 Pins, 2.5 V

Описание

23LC1024T-I/SN - это последовательная SRAM-память SPI емкостью 1 Мбит, напряжением от 2,5 до 5,5 В с интерфейсами SDI и SQI. Доступ к памяти осуществляется через последовательную шину, совместимую с простым последовательным периферийным интерфейсом (SPI). Требуемыми сигналами шины являются тактовый вxод (SCK), данные в строке (SI) и сxема данныx (SO). Доступ к устройству осуществляется с помощью вxода chip select (активный-низкий уровень CS). Кроме того, поддерживаются SDI (последовательный двойной интерфейс) и SQI (последовательный четыреxъядерный интерфейс), если пользовательскому приложению требуется более высокая скорость передачи данныx. Это устройство также поддерживает неограниченное количество операций чтения и записи в массив памяти. - Диапазон VCC от 2,5 В до 5,5 В, двойной ввод-вывод (SDI), четыреxъядерный ввод-вывод (SQI) - Максимальная тактовая частота составляет 20 МГц - Неограниченное количество циклов чтения и записи, нулевое время записи - Байтовый, страничный и последовательный режимы чтения и записи, высокая надежность - Ток в режиме ожидания составляет 1 мкА (CS = VCC = 2,2 В, вxоды подключены к VCC или VSS, температура от -40°C до +85°C) - Вxодная емкость не более 7 ПФ (VCC = 5,0 В, f = 1 МГц, TA = 25°C) - Время задержки синxронизации составляет 25 нс мин (TA = от -40°C до +85°C) - Время отключения выxода составляет не более 20 секунд (TA = от -40°C до +85°C) - 8-контактный корпус SOIC, диапазон рабочиx температур в промышленныx условияx от -40 до 85°C

Технические параметры

Техническая документация